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參數(shù)資料
| 型號： | FDA50N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 48 A, 500 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | FDA50N50 |
4
www.fairchildsemi.com
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Typical Drain Current Slope
vs. Gate Resistance
Figure 12. Typical Drain-Source Voltage
Slope vs. Gate Resistance
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 24 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10 us
DC
10 ms
1 ms
100 us
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
o
C]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Notes :
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125
o
C
!
dv/dt(off)
dv/dt(on)
d
R
G
, Gate resistance [
]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
500
1,000
1,500
2,000
2,500
3,000
3,500
4,000
Notes :
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125
o
C
di/dt(off)
di/dt(on)
d
μ
S
R
G
, Gate resistance [
]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH50N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA59N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDA59N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDA62N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDA69N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDA50N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA50N50_NWUA002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDA59N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA59N30 | 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA620005 | 功能描述:OSC 106.25MHZ 2.5V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標準包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR |
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