參數(shù)資料
型號： FD600R16KF4
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.6KV五（巴西）國際消費電子展| 601余（丙）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： FD600R16KF4
Technische Information / Technical Information
FD 600 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tj = 25°C
Tj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
200
400
600
800
1000
1200
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8)
FD600R17KF6CB2.xls
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參數(shù)描述
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FD600R17KE3-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FD600R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 975A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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