參數(shù)資料
型號(hào)： FD600R16KF4
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.6KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 601余（丙）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： FD600R16KF4
Technische Information / Technical Information
FD 600 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
0,3
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
0,3
-
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
r
-
0,17
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
0,17
-
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
1,1
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
1,1
-
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 600A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
t
f
-
0,11
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
-
0,12
-
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 600A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
on
-
270
-
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 600A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
off
-
220
-
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, R
G
= 2,4
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
-
2400
-
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
-
20
-
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC′+EE′
0,16
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 600A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,1
2,5
V
I
F
= 600A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
2,1
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 3500A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
430
-
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
520
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 3500A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
110
-
μAs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
200
-
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 3500A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
60
-
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
110
-
mWs
2(8)
FD600R17KF6CB2.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD6R16K4 IGBT Module
FD700.TR
FD700 Ultra Fast Diodes
FD800R17KF6CB2V IGBT Module
FD915 Interface IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD600R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KE3-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FD600R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 975A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*