參數(shù)資料
型號： FD400O8N
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
元件分類： 圓形連接器
英文描述： Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:16-8; MIL SPEC:MIL-C-26482 Series I RoHS Compliant: No
中文描述： 繼電器HERMETIQUE 2逆轉(zhuǎn)錄雙重間斷期10 A/56嚇
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： FD400O8N
Technische Information / Technical Information
FD 400 R 33 KF2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
data sheet
I
C
V
CE
[V]
I
R
V
R
[V]
0
100
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0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
IC,Modul
IC,Chip
Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA)
R
G,off
= 3,6
, C
GE
= 68 nF
Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA)
T
vj
= 125°C
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2500
3000
3500
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
T
vj
= 125°C
safe operation area Diode (SOA)
7 (9)
Datenblatt FD 400 R 33 KF2
04.10.99
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD400O8V Circular Connector; No. of Contacts:23; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:16-99 RoHS Compliant: No
FD400A8A M39012 MIL RF CONNECTOR
FD400A8B M39012 MIL RF CONNECTOR
FD400G8A RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400G8B RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD400O8V 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc
FD400R07PE4RB6BOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FD400R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD400R12KE3_B5 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD400R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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