| 型號(hào): | F2004 |
| 廠(chǎng)商: | Polyfet RF Devices |
| 英文描述: | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述: | 專(zhuān)利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商: | F2004 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| F2012 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2013 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2021 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F20308RN02B | Miniature ROTA-SLIDE Rotary Switches |
| F20308RS02QE | Miniature ROTA-SLIDE Rotary Switches |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F2004ERW | 制造商:MPD 制造商全稱(chēng):MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters |
| F20-055 | 功能描述:電源變壓器 20VCT at 0.055A 10V at 0.11A RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| F20-055-C2 | 功能描述:電源變壓器 20VCT@0.055A 10V@0.11A RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| F20-055-C2-B | 制造商:Triad Magnetics 功能描述:XFRMR LAMINATED 1.1VA THRU HOLE |
| F2005ERW | 制造商:MPD 制造商全稱(chēng):MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters |