參數(shù)資料
型號(hào)： F2003
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 37K
代理商： F2003
F2003 POUT VS PIN F=1000 MHZ; IDQ=0.4A; VDS = 28v
PIN IN WATTS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
POUT
GAIN
Efficiency = 30%
POUT VS PIN GRAPH
F2003
F2A 1 DIE CAPACITANCE VS VDS
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2A 1 DIE IV CURVE
VDS IN VOLTS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
VGS 12V
F2A 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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F2013 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F2021 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F20308RN02B Miniature ROTA-SLIDE Rotary Switches
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參數(shù)描述
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F2004ERW 制造商:MPD 制造商全稱:MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters
F20-055 功能描述:電源變壓器 20VCT at 0.055A 10V at 0.11A RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
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