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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS800ET-90RTGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29BDS800ET-90RTGI |
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ESI
27
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
DC CHARACTERISTICS
Zero-Power Flash
Figure 12. I
cc1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
5
10
15
Time in ns
S
Icc1 (Active Read current)
Icc5 (Automatic Sleep Mode)
12
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
Frequency in MHz
S
2.7V
3.6V
Figure 13. Typical I
cc1
vs. Frequency
Note
:
Addresses are switching at 1 MHz
Note
:
T = 25
o
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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