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參數(shù)資料
| 型號： | ES29BDS400DB-70TGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400DB-70TGI |
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ES I
37
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
CE#
RESET#
RY/BY#
tRSP
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
tVIDR
tRRB
VID
Vss,VIL,
or VIH
WE#
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
tRRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
AC CHARACTERISTICS
Table 13. Temporary Sector Unprotect
Note: Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29BDS400E-90RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400ET-90RTGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FB-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FT-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES2BA | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ES29BDS400DB-80RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400DB-90RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400DT-70WCI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400E-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400E-90RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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