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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS400DB-70TGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400DB-70TGI |
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ES I
36
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Address
OE#
WE#
DQ6/DQ2
CE#
RY/BY#
Figure 23. Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
tOEPH
tDH
tAHT
tASO
tOEH
Valid Status
Valid Data
tCEPH
tAHT
tAS
tOE
(first read)
(second read)
(stops toggling)
NOTE : VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
DQ6
WE#
Enter
Embedded
Erasing
DQ2
Enter
Suspend
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Complete
Figure 24. DQ2 vs. DQ6
NOTE : DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
AC CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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