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參數(shù)資料
| 型號： | ES29BDS160DB-12TG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆（2米x 8/1M × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 726K |
| 代理商： | ES29BDS160DB-12TG |
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ESI
17
Rev. 1C Jan 5 , 2006
ES29LV160D
Excel Semiconductor inc.
Table 8. Primary Vendor-Specific Extended Query
Addresses
(Word Mode)
Addresses
(Byte Mode)
Data
Description
40h
41h
42h
80h
82h
84h
0050h
0052h
0049h
Query-unique ASCII string “PRI”
43h
86h
0031h
Major version number, ASCII
44h
88h
0030h
Minor version number, ASCII
45h
8Ah
0000h
Address Sensitive Unlock (Bits 1-0)
0 = Required, 1 = Not required
Silicon Revision Number (Bits 7-2)
46h
8Ch
0002h
Erase Suspend
0 = Not Supported, 1 = To Read Only, 2 = To Read & Write
47h
8Eh
0001h
Sector Protect
0 = Not Supported, X = Number of sectors in per group
48h
90h
0001h
Sector Temporary Unprotect
00 = Not Supported, 01 = Supported
49h
92h
0004h
Sector Protect/Unprotect scheme
04 = In-System Method and A9 High-Voltage Method
4Ah
94h
0000h
Simultaneous Operation
00 = Not Supported
4Bh
96h
0000h
Burst Mode Type
00 = Not Supported, 01 = Supported
4Ch
98h
0000h
Page Mode Type
00 = Not Supported, 01 = 4 Word Page, 02 = 8 Word Page
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PDF描述 |
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