參數(shù)資料
型號: EPM2210GF256A3N
廠商: ALTERA CORP
元件分類: PLD
英文描述: FLASH PLD, PBGA256
封裝: 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-256
文件頁數(shù): 71/108頁
文件大?。?/td> 1342K
代理商: EPM2210GF256A3N
Altera Corporation
4–5
December 2007
MAX II Device Handbook, Volume 1
Hot Socketing and Power-On Reset in MAX II Devices
Figure 4–3. ESD Protection During Positive Voltage Zap
When the I/O pin receives a negative ESD zap at the pin that is less than
–0.7 V (0.7 V is the voltage drop across a diode), the intrinsic
P-Substrate/N+ drain diode is forward biased. Therefore, the discharge
ESD current path is from GND to the I/O pin, as shown in Figure 4–4.
I/O
Gate
Drain
PMOS
NMOS
Source
GND
N+
P-Substrate
G
S
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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