參數(shù)資料
型號： EP2AGX45DF29I3
廠商： Altera
文件頁數(shù)： 8/90頁
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描述： IC ARRIA II GX FPGA 45K 780FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 4
系列： Arria II GX
LAB/CLB數(shù)： 1805
邏輯元件/單元數(shù)： 42959
RAM 位總計： 3517440
輸入/輸出數(shù)： 364
電源電壓： 0.87 V ~ 0.93 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 780-BBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 780-FBGA（29x29）
1–8
Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices
Electrical Characteristics
December 2013
Altera Corporation
I/O Pin Leakage Current
Table 1–7 lists the Arria II GX I/O pin leakage current specifications.
Table 1–8 lists the Arria II GZ I/O pin leakage current specifications.
Bus Hold
Bus hold retains the last valid logic state after the source driving it either enters the
high impedance state or is removed. Each I/O pin has an option to enable bus hold in
user mode. Bus hold is always disabled in configuration mode.
Table 1–9 lists bus hold specifications for Arria II GX devices.
Table 1–7. I/O Pin Leakage Current for Arria II GX Devices
Symbol
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
II
Input pin
VI = 0 V to VCCIOMAX
–10
—
10
A
IOZ
Tri-stated I/O pin
VO = 0 V to VCCIOMAX
–10
—
10
A
Table 1–8. I/O Pin Leakage Current for Arria II GZ Devices
Symbol
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
II
Input pin
VI = 0 V to VCCIOMAX
–20
—
20
A
IOZ
Tri-stated I/O pin
VO = 0 V to VCCIOMAX
–20
—
20
A
Table 1–9. Bus Hold Parameters for Arria II GX Devices (Note 1)
Parameter
Symbol
Cond.
VCCIO (V)
Unit
1.2
1.5
1.8
2.5
3.0
3.3
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Bus-hold
low,
sustaining
current
ISUSL
VIN > VIL
(max.)
8
—
12
—
30—50
—
70
—
70
—
A
Bus-hold
high,
sustaining
current
ISUSH
VIN < VIL
(min.)
–8
—
–12
—
–30
—
–50
—
–70
—
–70
—
A
Bus-hold
low,
overdrive
current
IODL
0V <VIN <
VCCIO
—
125
—
175
—
200
—
300
—
500
—
500
A
Bus-hold
high,
overdrive
current
IODH
0V <VIN <
VCCIO
—
–125
—
–175
—
–200
—
–300
—
–500
—
–500
A
Bus-hold
trip point
VTRIP
—
0.3
0.9
0.375
1.125
0.68
1.07
0.7
1.7
0.8
2
0.8
2
V
Note to Table 1–9:
(1) The bus-hold trip points are based on calculated input voltages from the JEDEC standard.
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