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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EN29LV640TT-90BC |
| 廠(chǎng)商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）閃存引導(dǎo)扇區(qū)閃存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 495K |
| 代理商： | EN29LV640TT-90BC |
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AC CHARACTERISTICS
Table 14. Write (Erase/Program) Operations
Alternate
CE#
Controlled Writes
Parameter
Symbols
Description
This Data Sheet may be revised by subsequent versions 2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
EN29LV640T/B
Speed Options
JEDEC
Standard
-70
-90
Unit
t
B
AVAV
B
t
B
WC
B
Write Cycle Time
Min
70
90
ns
t
B
AVEL
B
t
B
AS
B
Address Setup Time
Min
0
0
ns
t
B
ELAX
B
t
B
AH
B
Address Hold Time
Min
45
40
ns
t
B
DVEH
B
t
B
DS
B
Data Setup Time
Min
30
40
ns
t
B
EHDX
B
t
B
DH
B
Data Hold Time
Min
0
0
ns
t
B
OES
B
Output Enable Setup Time
Min
0
0
ns
t
B
GHEL
t
B
WLEL
t
B
EHWH
t
B
ELEH
t
B
EHEL
B
t
B
GHEL
t
B
WS
t
B
WH
t
B
CP
t
B
CPH
B
Read Recovery Time before
Write (OE# High to CE# Low)
Min
0
0
ns
B
B
WE# Setup Time
Min
0
0
ns
B
B
WE# Hold Time
Min
0
0
ns
B
B
CE# Pulse Width
Min
35
45
ns
B
B
CE# Pulse Width High
Min
20
20
ns
Byte
Typ
8
8
t
B
WHW1
B
t
B
WHWH1
B
Programming
Operation
Word
Typ
8
8
μs
t
B
WHW1
B
t
B
WHWH1
B
Accelerated Programming
Operation
(Word AND Byte Mode)
Typ
7
5
μs
t
B
WHW2
B
t
B
WHWH2
B
Sector Erase Operation
Typ
0.5
0.5
s
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PDF描述 |
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| EN29SL400B-90BIP | 制造商:EON SILICON SOLUTION INC 功能描述:EN29SL400 Series, 4 Mbit 90 NS 48 FBGA 1.8 V Bottom Boot Sector NOR Flash |
| EN2-B1H1 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:AUTOMOTIVE RELAYS (Twin, Single) Relays |
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