參數(shù)資料
型號(hào)： EMG11
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Emitter common (dual digital transistors)
中文描述： 發(fā)射極常見（雙數(shù)字晶體管）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 57K
代理商： EMG11
EMG11 / UMG11N / FMG11A
Transistors
Emitter common (dual digital transistors)
EMG11 / UMG11N / FMG11A
!
Features
1) Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMT
package.
!
Equivalent circuit
EMG11 / UMG11N
(3)
R
1
R
2
R
2
R
1
FMG11A
R
1
R
2
R
2
R
1
(1)
(2)
(4)
(5)/(6)
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
!
Package, marking, and packaging specifications
Type
Package
Marking
Code
EMG11
EMT5
G11
T2R
8000
UMG11N
UMT5
G11
TR
3000
FMG11A
SMT5
G11
T148
3000
Basic ordering unit (pieces)
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
Pd
Tstg
Limits
50
12
5
100
300(TOTAL)
50
~
+
150
150(TOTAL)
Unit
V
V
mA
mW
1
2
°
C
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
UMG11N
0
0
0
0
0.1Min.
2.1
1
0
0
2
(
(
(
0
1.25
(
(
0
1
0
0.3Min.
0
1.6
2.8
2
0
1
(
(
(
0
(
0
(
ROHM : SMT5
FMG11A
ROHM : EMT5
EMG11
0
1.2
1.6
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
0
0
0
0
1
1
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
I (off)
V
I (on)
V
O (on)
I
I
I
O (off)
G
I
R
1
Min.
1.1
80
17
Typ.
0.1
2.2
250
21
Max.
0.5
0.3
3.6
0.5
26
Unit
Conditions
Input resistance
Transition frequency
Resistance ratio
f
T
V
V
mA
μ
A
k
MHz
R
2
/
R
1
V
CC
=
5V, I
O
=
100
μ
A
V
O
=
0.3V, I
O
=
5mA
I
O
=
5mA, I
I
=
0.25mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
I
O
=
10mA, V
O
=
5V
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
Transition frequency of the device.
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EMG1 General purpose (dual digital transistors)
EMH1 General purpose (dual digital transistors)
EMG2 Emitter common (dual digital transistors)
EMG3 Emitter common (dual digital transistors)
EMG4 General purpose (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EMG11T2R 功能描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
EMG17-LG 制造商:Phoenix Contact 功能描述:SPACE MODULE
EMG1T2R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 30MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMG2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIVIDER TYPE NPNx2 SM DIGITAL TRANSISTOR EMT5 / 6 - free partial T/R at 500.
EMG21D 制造商:SUNLED 制造商全稱:SunLED Corporation 功能描述:3.65x6.15mm SINGLE CHIP LED LIGHT BAR
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