參數(shù)資料
型號： EGF1A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SR BTS FT 8 ASY
中文描述： 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封裝： SMA, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 90K
代理商： EGF1A
E
EGF1A-EGF1D, Rev. B
EGF1A - EGF1D
1.0 Ampere High Efficiency Glass Passivated Rectifier
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
**
Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
Features
Low forward voltage drop.
Low profile package.
Fast switching for high efficiency.
Symbol
Parameter
Value
Units
I
O
Average Rectified Current
@ T
L
= 100
°
C
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half-sine-wave
Superimposed on rated load (JEDEC method)
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient **
Thermal Resistance, Junction to Case **
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
1.0
A
i
f(surge)
30
A
P
D
2.0
13
85
30
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
°
C
°
C
R
θ
JA
R
θ
JC
T
stg
T
J
-65 to +175
-65 to +175
SMA/DO-214AC
COLOR BAND
DENOTES CATHODE
Parameter
Device
Units
1A
50
35
50
1B
100
70
100
1C
150
105
150
1D
200
140
200
Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
V
V
V
DC Reverse Voltage
Maximum Reverse Current
@ rated V
R
(Rated V
R
)
T
A
= 25
°
C
T
A
= 125
°
C
10
100
1.0
50
μ
A
μ
A
V
ns
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A
Maximum Reverse Recovery Time
I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
RR
= 0.25 A
Typical Junction Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
15
pF
2
1
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
+
3.93
3.73
1.67
1.47
2.38
2.18
5.49
5.29
Minimum Recommended
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