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參數(shù)資料
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EDS1232CABB, EDS1232CATA
Preliminary Data Sheet E0247E40 (Ver. 4.0)
31
CLK
Command
DQ
lDAL
IRAS
ACT
WRITA
in
ACT
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of tRAS (lRAS) is required between previous active (ACT) command
and internal precharge " ".
Single Write
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS1232CABB-75-E | 128M bits SDRAM |
| EDS1232CATA | 128M bits SDRAM |
| EDS2516AFTA | 256M bits SDRAM |
| EDS2516AFTA-6B-E | 256M bits SDRAM |
| EDS2516AFTA-75-E | 256M bits SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS1232CABB-1AL-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM |
| EDS1232CABB-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM |
| EDS1232CABB-75L-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM |
| EDS1232CASE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDS1232CASE-1A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
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