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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EC103D175 |
| 英文描述： | Thyristor Product Catalog |
| 中文描述： | 晶閘管產(chǎn)品目錄 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/224頁(yè) |
| 文件大小： | 2697K |
| 代理商： | EC103D175 |
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AN1001
Application Notes
http://www.teccor.com
AN1001 - 6
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Critical Rate-of-rise of Off-state Voltage or Static dv/dt
(dv/dt) – Minimum value of the rate-of-rise of principal voltage
which will cause switching from the off state to the on state
Critical Rate-of-rise of On-state Current (di/dt) – Maximum
value of the rate-of-rise of on-state current that a thyristor can
withstand without harmful effect
Gate-controlled Turn-on Time (tgt) – Time interval between a
specified point at the beginning of the gate pulse and the instant
when the principal voltage (current) has dropped to a specified
low value (or risen to a specified high value) during switching of a
thyristor from off state to the on state by a gate pulse.
Gate Trigger Current (IGT) – Minimum gate current required to
maintain the thyristor in the on state
Gate Trigger Voltage (VGT) – Gate voltage required to produce
the gate trigger current
Holding Current (IH) – Minimum principal current required to
maintain the thyristor in the on state
Latching Current (IL) – Minimum principal current required to
maintain the thyristor in the on state immediately after the switch-
ing from off state to on state has occurred and the triggering sig-
nal has been removed
On-state Current (IT) – Principal current when the thyristor is in
the on state
On-state Voltage (VT) – Principal voltage when the thyristor is in
the on state
Peak Gate Power Dissipation (PGM) – Maximum power which
may be dissipated between the gate and main terminal 1 (or
cathode) for a specified time duration
Repetitive Peak Off-state Current (IDRM) – Maximum instanta-
neous value of the off-state current that results from the applica-
tion of repetitive peak off-state voltage
Repetitive Peak Off-state Voltage (VDRM) – Maximum instanta-
neous value of the off-state voltage which occurs across a thyris-
tor, including all repetitive transient voltages and excluding all
non-repetitive transient voltages
Repetitive Peak Reverse Current of an SCR (IRRM) – Maximum
instantaneous value of the reverse current resulting from the
application of repetitive peak reverse voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage of an SCR (VRRM) – Maximum
instantaneous value of the reverse voltage which occurs across
the thyristor, including all repetitive transient voltages and exclud-
ing all non-repetitive transient voltages
Surge (Non-repetitive) On-state Current (ITSM) – On-state cur-
rent of short-time duration and specified waveshape
Thermal Resistance, Junction to Ambient (RθJA) – Temperature
difference between the thyristor junction and ambient divided by
the power dissipation causing the temperature difference under
conditions of thermal equilibrium
Note: Ambient is the point at which temperature does not change
as the result of dissipation.
Thermal Resistance, Junction to Case (RθJC) – Temperature dif-
ference between the thyristor junction and the thyristor case
divided by the power dissipation causing the temperature differ-
ence under conditions of thermal equilibrium
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| EC103D1RP | 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| EC103D1WX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate |
| EC103D2 | 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| EC103D275 | 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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