參數(shù)資料
型號(hào): EC103D175
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶閘管產(chǎn)品目錄
文件頁數(shù): 212/224頁
文件大?。?/td> 2697K
代理商: EC103D175
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁當(dāng)前第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
http://www.teccor.com
E9 - 2
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Sidac
Data Sheets
Specific Test Conditions
di/dt — Critical rate-of-rise of on-state current
dv/dt — Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated VDRM;
TJ ≤ 100 °C
IBO — Breakover current 50/60 Hz sine wave
IDRM — Repetitive peak off-state current 50/60 Hz sine wave; V = VDRM
IH — Dynamic holding current 50/60 Hz sine wave; R = 100
IT(RMS) — On-state RMS current TJ ≤ 125 °C 50/60 Hz sine wave
ITSM — Peak one-cycle surge current 50/60 Hz sine wave (non-
repetitive)
RS — Switching resistance
50/60 Hz sine wave
VBO — Breakover voltage 50/60 Hz sine wave
VDRM — Repetitive peak off-state voltage
VTM — Peak on-state voltage; IT = 1 A
General Notes
All measurements are made at 60 Hz with a resistive load at an
ambient temperature of +25 °C unless otherwise specified.
Storage temperature range (TS) is -65 °C to +150 °C.
The case (TC) or lead (TL) temperature is measured as shown on
the dimensional outline drawings in the “Package Dimensions” sec-
tion of this catalog.
Junction temperature range (TJ) is -40 °C to +125 °C.
Lead solder temperature is a maximum of +230 °C for 10-second
maximum;
≥1/16" (1.59 mm) from case.
Electrical Specification Notes
(1) See Figure E9.5 for VBO change versus junction temperature.
(2) See Figure E9.6 for IBO versus junction temperature.
(3) See Figure E9.2 for IH versus case temperature.
(4) See Figure E9.13 for test circuit.
(5) See Figure E9.1 for more than one full cycle rating.
(6) TC ≤ 90 °C for TO-92 Sidac
TC ≤ 105 °C for TO-202 Sidacs
TL ≤ 100 °C for DO-15X
TL ≤ 90 °C for DO-214
(7) See Figure E9.14 for clarification of sidac operation.
(8) For best sidac operation, the load impedance should be near or
less than switching resistance.
(9) See package outlines for lead form configurations. When ordering
special lead forming, add type number as suffix to part number.
(10) Do not use electrically connected mounting tab or center lead.
V-I Characteristics
Type
Part No.
IT(RMS)
VDRM
VBO
IDRM
IBO
IH
TO-92
DO-15X
(10)
TO-202
DO-214
(7) (8)
Amps
Volts
(1)
Volts
Amps
(2)
Amps
(3) (4)
mAmps
See “Package Dimensions” section for variations. (9)
MAX
MIN
MAX
TYP
MAX
K0900E70
K0900G
K0900S
1
±70
79
97
5
10
60
150
K1050E70
K1050G
K1050S
1
±90
95
113
5
10
60
150
K1100E70
K1100G
K1100S
1
±90
104
118
5
10
60
150
K1200E70
K1200G
K1200S
1
±90
110
125
5
10
60
150
K1300E70
K1300G
K1300S
1
±90
120
138
5
10
60
150
K1400E70
K1400G
K1400S
1
±90
130
146
5
10
60
150
K1500E70
K1500G
K1500S
1
±90
140
170
5
10
60
150
K2000E70
K2000G
K2000F1
K2000S
1
±180
190
215
5
10
60
150
K2200E70
K2200G
K2200F1
K2200S
1
±180
205
230
5
10
60
150
K2400E70
K2400G
K2400F1
K2400S
1
±190
220
250
5
10
60
150
K2500E70
K2500G
K2500F1
K2500S
1
±200
240
280
5
10
60
150
K3000F1
1
±200
270
330
5
10
60
150
RS
VBO VS
()
IS IBO
()
--------------------------------
=
-V
+I
VDRM
+V
VS
IS
IH
RS
IDRM
IBO
VBO
VT
IT
(IS - IBO)
(VBO - VS)
RS =
-I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EC103D1 Sensitive SCRs
EC103D Sensitive SCRs
EC103D2 Sensitive SCRs
EC103D3 Sensitive SCRs
EC103M1 PC 8C 8#20 PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EC103D1AP 功能描述:SEN SCR 400V .8A 12A TO92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個(gè) 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)(最大):800mV 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài) (Vtm)(最大):1.35V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))(最大):500mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))(最大):800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)(最大):200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開狀態(tài)(最大):1µA 電流 - 非重復(fù)電涌,50、60Hz (Itsm):9A,10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-9067-1
EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube