分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD110N12N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD110N12N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 3,486 1:$2.33000
10:$1.99300
25:$1.79360
100:$1.62750
250:$1.46148
500:$1.26218
1,000:$1.06288
BSP125 L6433 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 11,060 1:$1.09000
10:$0.97800
25:$0.86320
100:$0.77680
250:$0.67608
500:$0.60418
1,000:$0.47471
BSP125 L6433 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 8,000 4,000:$0.40278
8,000:$0.38264
12,000:$0.36682
28,000:$0.35675
100,000:$0.34524
IPD110N12N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 75A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 83µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4310pF @ 60V
功率 - 最大: 136W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 剪切帶 (CT)