分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSB044N08NN3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSB044N08NN3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSB044N08NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 9,480 1:$3.43000
10:$3.08400
25:$2.79880
100:$2.51310
250:$2.28460
500:$1.99902
1,000:$1.71345
2,500:$1.62778
BSB044N08NN3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 90A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 97µ
閘電荷(Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 40V
功率 - 最大: 78W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-WDSON
供應(yīng)商設(shè)備封裝: MG-WDSON-2，CanPAK M?
包裝: 剪切帶 (CT)