分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI200N25N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI200N25N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPI200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 381 1:$8.46000
10:$7.61700
25:$6.94040
100:$6.26320
250:$5.75536
500:$5.24752
1,000:$4.57043
2,500:$4.40115
5,000:$4.23188
IPP200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 338 1:$8.46000
10:$7.61700
25:$6.94040
100:$6.26320
250:$5.75536
500:$5.24752
1,000:$4.57043
2,500:$4.40115
5,000:$4.23188
IPI200N25N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 64A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 64A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7100pF @ 100V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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