分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPP110N20N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPP110N20N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPP110N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 2,282 1:$8.06000
10:$7.25400
25:$6.60960
100:$5.96460
250:$5.48096
500:$4.99736
1,000:$4.35254
2,500:$4.19133
5,000:$4.03013
IPP110N20N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 88A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 88A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7100pF @ 100V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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