分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI5402BDC-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI5402BDC-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 0 3,000:$0.27200
SI3805DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP 695 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SI4620DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 350 1:$0.74000
25:$0.57120
100:$0.50400
250:$0.43680
500:$0.36960
1,000:$0.29400
SI5402BDC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫歐 @ 4.9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: 帶卷 (TR)