| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPI65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262 | 498 | 1:$3.00000 10:$2.70800 25:$2.41800 100:$2.17620 250:$1.93440 500:$1.69260 1,000:$1.40244 2,500:$1.30572 5,000:$1.25736 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 660 毫歐 @ 2.1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 200µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 615pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 62.5W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO262-3 |
| 包裝: | 管件 |