分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4427BDY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI4427BDY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.49420
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| SI7136DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.28250
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| IRF710STRLPBF |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK |
0 |
800:$0.63578
|
| SI3445DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
0 |
3,000:$0.63000
|
| SI4354DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
0 |
2,500:$0.61600
|
| SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
0 |
2,000:$0.61460
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SI4427BDY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
9.7A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
10.5 毫歐 @ 12.6A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1.4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
70nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.5W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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