| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | 0 | 1:$17.69000 10:$16.08200 100:$13.66990 250:$12.46372 500:$11.65960 1,000:$10.69466 2,500:$10.25240 5,000:$9.97096 10,000:$9.64932 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 68.5A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 41 毫歐 @ 33.1A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 3.3mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 8400pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 500W |
| 安裝類(lèi)型: | * |
| 封裝/外殼: | * |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | * |
| 包裝: | * |