分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB65R420CFD品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB65R420CFD • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB65R420CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 0 1:$3.54000
10:$3.18300
25:$2.88840
100:$2.59360
250:$2.35780
500:$2.06308
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 1:$1.19000
10:$1.06700
25:$0.94160
100:$0.84730
250:$0.73744
500:$0.65898
1,000:$0.51777
2,500:$0.48639
IPB65R420CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 0 1,000:$1.65046
2,000:$1.56794
5,000:$1.50310
10,000:$1.46184
25,000:$1.41468
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 5,000:$0.41735
10,000:$0.40010
25,000:$0.38911
50,000:$0.37656
IPB65R420CFD • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 420 毫歐 @ 3.4A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 340µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 870pF @ 100V
功率 - 最大: 83.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263
包裝: 剪切帶 (CT)