分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ100N06LS3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ100N06LS3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 1:$1.19000
10:$1.06700
25:$0.94160
100:$0.84730
250:$0.73744
500:$0.65898
1,000:$0.51777
2,500:$0.48639
IPB65R420CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 0 1,000:$1.65046
2,000:$1.56794
5,000:$1.50310
10,000:$1.46184
25,000:$1.41468
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 5,000:$0.41735
10,000:$0.40010
25,000:$0.38911
50,000:$0.37656
BSZ100N06LS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 23µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 30V
功率 - 最大: 50W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝: 剪切帶 (CT)