型號: | DU1260T |
英文描述: | RF MOSFET Power Transistor, 6OW, 12V 2 - 175 MHz |
中文描述: | 射頻MOSFET功率晶體管,6OW,12V的2 - 175兆赫 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 197K |
代理商: | DU1260T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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DV2805 | VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
DV74AC00 | Quad 2-Input nand gate |
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DV74AC02 | Quad 2-Input NOR Gate |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DU1311 | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:SMD Unshielded Power Inductor Series |
DU1311-100M | 功能描述:INDUCTOR 10UH 3.5A 20% 1311 RoHS:否 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:DU1311 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
DU1311-101M | 功能描述:INDUCTOR 100UH 1.2A 20% 1311 RoHS:否 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:DU1311 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
DU1311-102M | 功能描述:INDUCTOR 1000UH .1A 20% 1311 RoHS:否 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:DU1311 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
DU1311-150M | 功能描述:INDUCTOR 15UH 3A 20% SMD 1311 RoHS:否 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:DU1311 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |