參數(shù)資料
型號(hào)： DTA123JEBTL
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： EMT3F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 153K
代理商： DTA123JEBTL
○
1/2
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.03 - Rev.B
-100mA / -50V Digital transistors
(with built-in resistors)
DTA123JEB
z
Applications
Inverter, Interface, Driver
z
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors
with complete isolation to allow negative biasing
of the input. They also have the advantage of
almost completely eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for
operation, making the device design easy.
z
Structure
PNP silicon epitaxial planar transistor type
(Resistor built-in)
z
Packaging specifications
z
Dimensions
(Unit : mm)
z
Equivalent circuit
DTA123JEB
Part No.
TL
EMT3F
3000
Package
Packaging type
Taping
Code
Basic ordering unit (pieces)
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Limits
Parameter
Symbol
150
50
12 to
+
5
55 to
+
150
100
150
V
V
mA
mW
°
C
°
C
V
IN
1
2
1 Characteristics of built-in transistor
2 Each terminal mounted on a recommended land
Io
P
D
Tj
Tstg
Unit
Supply voltage
Input voltage
Output current
100
mA
Ic(max)
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
V
CC
Abbreviated symbol : E32
(1) IN
(2) GND
(3) OUT
Each lead has same dimensions
1.6
0.26
0.5 0.5
1.0
1
0
0
0
(1)
(2)
(3)
0
0.7
0.13
0
EMT3F
R
1
R
2
IN
R
1
=2.2k
, R
2
=47k
GND(
+
)
OUT
IN
GND(
+
)
OUT
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PDF描述
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DTA123JET1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DTA123JETL 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP 50V 100MA SOT-416 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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