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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DT28F016SV-080 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 5V PROM, 80 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 23.70 X 16 MM, SSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/63頁(yè) |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | DT28F016SV-080 |
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28F016SV FlashFile MEMORY
E
44
5.8 AC Characteristics for WE#
—Controlled Command Write Operations
(1)
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, T
A
= 0°C to +70°C; –40°C to +85°C
Temp
Commercial
Extended
Commercial
Sym
Parameter
Speed
–75
–100
–120
Unit
Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
75
100
120
ns
t
VPWH
1,2
V
PP
Setup to WE#
Going High
3
100
100
100
ns
t
PHEL
RP# Setup to CE#
Going Low
3,7
480
480
480
ns
t
ELWL
CE# Setup to WE#
Going Low
3,7
0,10
(12)
10
10
ns
t
AVWH
Address Setup to WE#
Going High
2,6
60
70
75
ns
t
DVWH
Data Setup to WE#
Going High
2,6
60
70
75
ns
t
WLWH
WE# Pulse Width
60
70
75
ns
t
WHDX
Data Hold from WE#
High
2
5
10
10
ns
t
WHAX
Address Hold from
WE# High
2
5
10
10
ns
t
WHEH
CE# Hold from WE#
High
3,7
5
10
10
ns
t
WHWL
WE# Pulse Width High
15
30
45
ns
t
GHWL
Read Recovery before
Write
3
0
0
0
ns
t
WHRL
WE# High to RY/BY#
Going Low
3
100
100
100
ns
t
RHPL
RP# Hold from Valid
Status Register (CSR,
GSR, BSR) Data and
RY/BY# High
3
0
0
0
ns
t
PHWL
RP# High Recovery to
WE# Going Low
3
0.480
1
1
μs
t
WHGL
Write Recovery before
Read
55
75
95
ns
t
QVVL
1,2
V
PP
Hold from Valid
Status Register (CSR,
GSR, BSR) Data and
RY/BY# High
3
0
0
0
μs
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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