參數(shù)資料
型號(hào)： DSEP60-06AT
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
中文描述： 60 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-268AA
封裝： TO-268AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： DSEP60-06AT
2000 IXYS All rights reserved
1 - 2
Preliminary Data
HiPerFRED
TM
Epitaxial Diode
with soft recovery
Features
G
International standard package
G
Planar passivated chips
G
Very short recovery time
G
Extremely low switching losses
G
Low I
-values
G
Soft recovery behaviour
G
Epoxy meets UL 94V-0
Applications
G
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
G
Antisaturation diode
G
Snubber diode
G
Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
G
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
G
Inductive heating
G
Uninterruptible power supplies (UPS)
G
Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
G
Avalanche voltage rated for reliable
operation
G
Soft reverse recovery for low
EMI/RFI
G
Low I
reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating
switch
Dimensions see outlines.pdf
Pulse test:
x
Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %
y
Pulse Width = 300 s, Duty Cycle < 2.0 %
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
C
A
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode
TO-247 AD
(A-Type)
TO-268 AA
(AT-Type)
A
A
C (TAB)
C
A
C (TAB)
DSEP 60-06A
DSEP 60-06AT
I
FAV
V
RRM
= 600 V
t
rr
= 35 ns
= 60 A
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
FRMS
I
FAVM
T
VJ
= T
T
C
= 110°C; rectangular, d = 0.5
70
60
A
A
I
FSM
E
AS
T
VJ
= 45°C; t
p
= 10 ms (50 Hz), sine
T
VJ
= 25°C; non-repetitive
I
AS
= 1.6 A; L = 180 μH
V
A
= 1.5
·
V
R
typ.; f = 10 kHz; repetitive
600
A
0.3
mJ
I
AR
T
VJ
T
VJM
T
stg
P
tot
M
d
Weight
0.2
A
-55...+175
°C
°C
°C
175
-55...+150
T
C
= 25°C
mounting torque
230
W
0.8...1.2
Nm
typical
6
g
Symbol
Conditions
Characteristic Values
typ.
max.
I
R
x
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C V
R
= V
RRM
I
F
= 60 A;
V
R
= V
RRM
650
2.5
A
mA
V
F
y
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
1.39
2.04
V
V
R
thJC
R
thCH
t
rr
0.65
K/W
K/W
0.25
I
F
= 1 A; -di/dt = 300 A/ s;
V
R
= 30 V; T
VJ
= 25°C
V
R
= 100 V; I
F
= 130 A; -di
F
/dt = 100 A/ s
T
VJ
= 100°C
35
ns
I
RM
8.3
A
V
RSM
V
V
RRM
V
Type
600
600
DSEP 60-06A
DSEP 60-06AT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DSEP8-02A HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP8-03A HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP8-06A HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP8-12A HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP9-06CR HiPerDynFRED Epitaxial Diode with soft recovery
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DSEP60-12A 功能描述:整流器 1200V 60A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
DSEP60-12AR 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
DSEP6-06AS 功能描述:整流器 6 Amps 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
DSEP6-06BS 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 6 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
DSEP75-06AR 功能描述:DIODE FRED 600V 75A ISOPLUS247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:HiPerFRED™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
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