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參數(shù)資料
| 型號： | DS2016-100 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 |
| 封裝： | 0.600 INCH, DIP-24 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | DS2016-100 |
DS2016
4 of 9
+3-VOLT OPERATION
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(TA = -40°C to +85°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Power Supply Voltage
VCC
2.7
3.0
3.5
V
Input High Voltage
VIH
2.0
VCC + 0.3
V
Input Low Voltage
VIL
-0.3
0.6
V
Data Retention Voltage
VDR
2.0
3.5
V
DC CHARACTERISTICS
(TA = -40°C to +85°C; VCC = 2.7V to 3.5V)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Leakage Current
IIL
0V
≤ V
IN
≤ V
CC
±0.1
A
I/O Leakage Current
ILO
CE
=VIH, 0V
≤V
IO
≤V
CC
±0.5
A
Output High Current
IOH
VOH = 2.2V
-0.5
mA
Output Low Current
IOL
VOL = 0.4V
4.0
mA
Standby Current
ICCS1
CE
= 2.0V
0.1
mA
Standby Current
ICCS2
CE
≥V
CC-0.3V TA=60°C
500
nA
Standby Current
ICCS2
CE
≥V
CC-0.3V TA=25°C
50
nA
Operating Current
ICCO
CE
=0.6V min cycle
25
mA
AC CHARACTERISTICS READ CYCLE
(TA = -40°C to +85°C; VCC = 2.7V to 3.5V)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
250
ns
Access Time
tACC
250
ns
OE
to Output Valid
tOE
120
ns
CE
to Output Valid
tCO
250
ns
CE
or OE to Output Active
tCOE
15
ns
Output High-Z
from Deselection
tOD
5
100
ns
Output Hold from
Address Change
tOH
15
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| DS2105Z | 9-LINE 110 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO16 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| DS2016-150 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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