參數(shù)資料
型號: DS2016-100
廠商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類: Static RAM
英文描述: 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24
封裝: 0.600 INCH, DIP-24
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大小: 254K
代理商: DS2016-100
DS2016
2 of 9
OPERATION MODE
MODE
CE
OE
WE
A0-A10
DQ-DQ7
POWER
READ
L
H
STABLE
DATA OUT
ICCO
WRITE
L
X
L
STABLE
DATA IN
ICCO
DESELECT
L
H
X
HIGH-Z
ICCO
STANDBY
H
X
HIGH-Z
ICCS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
PARAMETER
RATING
VCC
Power Supply Voltage
-0.3V to +7.0V
VIN , VI/O
Input, Input/Output Voltage
-0.3 to VCC +0.3V
TSTG
Storage Temperature
-55°C to +125°C
TOPR
Operating Temperature
-40°C to +85°C
TSOLDER
Soldering Temperature/Time
260 °C for 10 seconds
CAPACITANCE
(TA= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
5
12
pF
+5-VOLT OPERATION
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(TA= -40°C to +85°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Power Supply Voltage
VCC
4.5
5.0
5.5
V
Input High Voltage
VIH
2.0
VCC+0.3
V
Input Low Voltage
VIL
-0.3
0.8
V
Data Retention Voltage
VDR
2.0
5.5
V
DC CHARACTERISTICS
(TA= -40°C to +85°C; VCC = 5V ± 10%)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Leakage Current
IIL
0V
≤ V
IN
≤ V
CC
± 0.1
A
I/O Leakage Current
ILO
CE
= VIH, 0V
≤ V
IO
≤ V
CC
± 0.5
A
Output High Current
IOH
VOH = 2.4V
-1.0
mA
Output Low Current
IOL
VOL = 0.4V
4.0
mA
Standby Current
ICCS1
CE
= 2.0V
0.3
mA
Standby Current
ICCS2
CE
≥ V
CC -0.5V tA =60°C
1
A
Standby Current
ICCS2
CE
≥ V
CC -0.5V tA =25°C
100
nA
Operating Current
ICCO
CE
= 0.8V, 200 ns cycle
55
mA
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參數(shù)描述
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