參數(shù)資料
型號： DS1265Y-100
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類： Static RAM
英文描述： 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DIP36
封裝： 0.600 INCH, DIP-36
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： DS1265Y-100
DS1265Y/AB
5 of 8
102999
TIMING DIAGRAM:
WRITE CYCLE 1
TIMING DIAGRAM: WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1265AB-70 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DIP36
DS1270AB 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36
DS1270Y 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36
DS1270Y-100 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, PDMA36
DS1270Y-70 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA36
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1265Y-100+ 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265Y-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1265Y-70 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265Y-70+ 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265Y-70IND 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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