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參數(shù)資料
| 型號： | DS1258WP-150-IND |
| 英文描述： | 3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| 中文描述： | 3.3 128K的× 16非易失 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | DS1258WP-150-IND |
DS1258W
7 of 9
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(t
A
: See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
V
CC
Fail Detect to
CE
and
WE
Inactive
t
PD
V
CC
slew from V
TP
to 0V
t
F
V
CC
slew from 0V to V
TP
t
R
t
PU
V
CC
Valid to End of Write Protection
t
REC
MIN
TYP
MAX
1.5
UNITS
NOTES
11
s
150
150
s
s
V
CC
Valid to
CE
and
WE
Inactive
2
ms
125
ms
(t
A
= +25 C)
PARAMETER
SYMBOL
Expected Data Retention Time
t
DR
MIN
10
TYP
MAX
UNITS
years
NOTES
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery
backup mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| DS1258Y | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y/AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128K x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1258Y-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1258Y-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
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