參數(shù)資料
型號: DS1258W
英文描述: 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
中文描述: 3.3V、128k x 16非易失SRAM
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 167K
代理商: DS1258W
DS1258W
5 of 9
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
= 3.3V 0.3V)
DS1258W-100
PARAMETER
SYMBOL
MIN
Read Cycle Time
t
RC
Access Time
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
Output High-Z from Deselection
t
OD
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
t
WC
Write Pulse Width
t
WP
Address Setup Time
t
AW
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
Output High Z from
WE
t
ODW
t
OEW
Data Setup Time
t
DS
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
DS1258W-150
MIN
150
MAX
MAX
UNITS
NOTES
100
ns
ns
ns
100
50
150
70
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
100
150
ns
OE
or
CE
to Output Valid
5
5
ns
5
35
35
ns
ns
5
t
OH
5
5
100
75
0
5
20
150
100
0
5
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
35
35
Output Active from
WE
5
5
ns
5
40
0
20
60
0
20
ns
ns
ns
4
12
13
READ CYCLE
SEE NOTE 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1258W-100-IND 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258W-150-IND 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258WP-100-IND 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
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DS1267-010 Dual Digital Potentiometer Chip
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參數(shù)描述
DS1258W-100 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1258W-100# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1258W-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1258W-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258W-100IND# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube