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參數(shù)資料
| 型號： | DS1258W-100-IND |
| 英文描述： | 3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| 中文描述： | 3.3 128K的× 16非易失 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | DS1258W-100-IND |
DS1258W
3 of 9
connects external V
CC
to RAM and disconnects the lithium energy source. Normal RAM operation can
resume after V
CC
exceeds 3.0V.
FRESHNESS SEAL
Each DS1258W device is shipped from Dallas Semiconductor with its lithium energy source
disconnected, guaranteeing full energy capacity. When V
CC
is first applied at a level greater than 3.0V,
the lithium energy source is enabled for battery backup operation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1258W-150-IND | 3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258WP-100-IND | 3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258WP-150-IND | 3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1267-010 | Dual Digital Potentiometer Chip |
| DS1267-050 | Dual Digital Potentiometer Chip |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1258W-100IND# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1258W-150 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1258W-150# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1258W-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258WP-100 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
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