參數(shù)資料
型號(hào)： DS1250AB-70
英文描述： 4096k Nonvolatile SRAM
中文描述： 4096k非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大?。?/td> 217K
代理商： DS1250AB-70
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111999
FEATURES
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 512k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times as fast as 70 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Full
±
10% V
CC
operating range (DS1250Y)
Optional
±
5% V
CC
operating range
(DS1250AB)
Optional industrial temperature range of
-40
°
C to +85
°
C, designated IND
JEDEC standard 32-pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A18
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+5V)
- Ground
- No Connect
DS1250Y/AB
4096k Nonvolatile SRAM
www.dalsemi.com
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23
22
21
20
32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
GND
DQ0
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
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A16
A18
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NC
A15
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NC
V
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
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19
18
33
A17
GND
V
BAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1250AB 4096k Nonvolatile SRAM
DS1250Y 4096k Nonvolatile SRAM
DS1258W 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258W-100-IND 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
DS1258W-150-IND 3.3V 128k x 16 Nonvolatile
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1250AB-70+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250AB-70IND 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250AB-70-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1250AB-70IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250ABL-100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
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