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參數(shù)資料
| 型號： | DS1249AB-100 |
| 英文描述： | 2048k Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 2048k非易失SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | DS1249AB-100 |
DS1249Y/AB
3 of 8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(t
A
: See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
DS1249AB Power Supply Voltage
V
CC
DS1249Y Power Supply Voltage
V
CC
Logic 1
V
IH
Logic 0
V
IL
DC ELECTRICAL
(V
CC
=5V
±
=
5% for DS1249AB)
CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
=
10% for DS1249Y)
PARAMETER
SYMBOL
Input Leakage Current
I
IL
I/O Leakage Current
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
I
IO
Output Current @ 2.4V
I
OH
Output Current @ 0.4V
I
OL
Standby Current
CE
=2.2V
I
CCS1
Standby Current
CE
=V
CC
-0.5V
I
CCS2
Operating Current
I
CCO1
Write Protection Voltage (DS1249AB)
V
TP
Write Protection Voltage (DS1249Y)
V
TP
CAPACITANCE
(t
A
=25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
Input Capacitance
C
IN
Input/Output Capacitance
C
I/O
-0.3V to +6.0V
0°C to 70°C, -40°C to +85°C for IND parts
-40°C to +70°C, -40°C to +85°C for IND parts
260°C for 10 seconds
MIN
4.75
4.5
2.2
0.0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V
CC
0.8
UNITS NOTES
V
V
V
V
MIN
-2.0
-2.0
-1.0
2.0
4.50
4.25
TYP
1.0
100
4.62
4.37
MAX
+2.0
+2.0
1.5
150
85
4.75
4.5
UNITS NOTES
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
μ
A
mA
V
V
MIN
TYP
10
10
MAX
20
20
UNITS NOTES
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1249AB | 2048k Nonvolatile SRAM |
| DS1249AB100 | 2048k Nonvolatile SRAM |
| DS1249AB70 | 2048k Nonvolatile SRAM |
| DS1249Y | 2048k Nonvolatile SRAM |
| DS1249Y100 | 2048k Nonvolatile SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1249AB-100# | 功能描述:NVRAM 2048K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1249AB-100-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1249AB70 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:2048k Nonvolatile SRAM |
| DS1249AB-70 | 功能描述:NVRAM 2048K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1249AB-70# | 功能描述:NVRAM 2048K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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