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參數(shù)資料
| 型號： | DS1212 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 電源管理 |
| 英文描述： | Nonvolatile Controller x 16 Chip(非易失性控制器x 16 芯片) |
| 中文描述： | 3-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | DS1212 |
DS1212
021798 6/6
TYPICAL APPLICATION
Figure 2
A
B
C
D
CE
V
CCI
V
CCO
GND
CE2
CE2
CE2
CE2
V
BAT2
V
BAT1
CE0 - CE15
DS1212
RAM 1
RAM 2
RAM 3
RAM 16
CE1
CE1
CE1
CE1
PF
OUTPUT LOAD
Figure 3
D.U.T.
+5 VOLTS
1.1K
50pF
680 OHM
NOTES:
1. All voltages referenced to ground.
2. Only one battery input is required.
3. Measured with V
CCO
and CE0-CE15 open.
4. I
CC01
is the maximum average load which the DS1212 can supply to the memories.
5. Measured with a load as shown in Figure 3.
6. I
CC02
is the maximum average load current which the DS1212 can supply to the memories in the battery
backup mode.
7. Chip enable outputs CE0-CE15 can only sustain leakage current in the battery backup mode.
8. t
CE
max. must be met to ensure data integrity on power loss.
9. t
AS
is only required to keep the decoder outputs glitch-free. While CE is low, the outputs (CE0-CE15) will be
defined by inputs A through D with a propagation delay of t
PD
from an A through D input change.
10.For applications where higher currents are required, please see the Battery Manager chip data sheet
(DS1259).
11. The DS1212 has a 5K ohm resistor is series with the battery input. As current from the battery increases over
100
μ
A, the voltage drop will increase proportionately. The device cannot be damaged by higher currents in
the battery path.
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