參數(shù)資料
型號： DMN5L06DW
廠商： Diodes Inc.
英文描述： DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： DMN5L06DW
DS30751 Rev. 1 - 2
4 of 5
DMN5L06DW
www.diodes.com
N
1
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
|
f
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
1
V
Pulsed
= 10V
DS
T =
-55 C
°
T =
-25 C
°
T =
0 C
°
T = 25 C
°
T =
85 C
°
T =
125 C
°
T =
150 C
°
-50
0
50
100
150
250
200
150
50
100
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 11 Derating Curve - Total
°
P
1
0.001
0.01
0.1
1
0
0.5
I
,
D
V
,
Fig. 9 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Voltage
SD
SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
T = 25°C
Pulsed
V
= 0V
GS
V
= 10V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMN5L06DW-7 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06T-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DMN5L06DW-7 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DMN5L06DWK 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06DWK_0711 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06DWK-7 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DMN5L06K 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*