參數(shù)資料
型號: DMN2112SN-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
產(chǎn)品變化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
產(chǎn)品目錄繪圖: SC-59 Package Top
SC-59 Package Side
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 500mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 220pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-59-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN2112SNDIDKR