| 型號： | DMN2112SN-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| 產(chǎn)品變化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫歐 @ 500mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 1mA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-59-3 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | DMN2112SNDIDKR |