| 型號： | DMN100-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫歐 @ 1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-59-3 |
| 包裝： | 剪切帶 (CT) |
| 其它名稱： | DMN100 DMN100CT DMN100CT-ND DMN100DICT |