型號: | DMN100-7 |
廠商: | Diodes Inc |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
標準包裝: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 標準 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 1.1A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 240 毫歐 @ 1A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5.5nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 150pF @ 10V |
功率 - 最大: | 500mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SC-59-3 |
包裝: | 剪切帶 (CT) |
其它名稱: | DMN100 DMN100CT DMN100CT-ND DMN100DICT |