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參數資料
| 型號： | DF200BA80 |
| 廠商： | Sanrex Corporation |
| 英文描述： | DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
| 中文描述： | 二極管（三相橋型） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 213K |
| 代理商： | DF200BA80 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DF200AA120 | DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
| DF200AA160 | DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
| FD200R12KF-K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD200R12KL-K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD1791AL-02 | Floppy Disk Controller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DF200R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| DF200R12KL-A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| DF201 | 制造商:DIOTECH 制造商全稱:DIOTECH 功能描述:GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
| DF201-G | 功能描述:橋式整流器 VR=100V, IO=2A RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| DF201S | 制造商:DIOTECH 制造商全稱:DIOTECH 功能描述:GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
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