參數(shù)資料
型號: FD200R12KL-K
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 200安培一(c)|米:HL093HW048
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代理商: FD200R12KL-K
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PDF描述
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參數(shù)描述
FD200R65KF1-K 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD200R65KF2-K 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 6500V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD2015LA06 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD 2P 15A W/AUX SW 1A-1B RH TERM L&L
FD2020 制造商:Eaton Corporation 功能描述:TYPE FD BREAKER 2P 20A/250VDC MAX 10K / 600VAC MAX 18K AIC
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