- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄370167 > DF150R12KF-A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DF150R12KF-A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 150A一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 213K |
| 代理商： | DF150R12KF-A |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DF200R12KL-A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| DF200BA40 | DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DF150R12RT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT MODULES 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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