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參數資料
| 型號： | DDC114TK-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-26 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件頁數： | 7/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 389K |
| 代理商： | DDC114TK-7 |
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SBAS255A JUNE 2004 REVISED NOVEMBER 2004
www.ti.com
7
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At TA = +25
°
C, characterization done with Range 5 (250pC), AVDD = +5V, DVDD = 3V, VREF = +4.096V, Low Power Mode: TINT = 400
μ
s and CLK = 4MHz, unless
otherwise noted.
I
B
vs TEMPERATURE
25
35
45
55
65
75
85
Temperature ( C)
I
B
(
10
1
0.1
0.01
All Ranges
ANALOG SUPPLY CURRENT vs TEMPERATURE
14
12
10
8
6
4
2
0
40
15
10
35
60
85
Temperature ( C)
C
LowPower Mode
POWER CONSUMPTION HISTOGRAM
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Power per Channel (mW)
O
LowPower Mode
Data collected
from multiple lots.
OFFSET DRIFT vs TEMPERATURE
25
35
45
55
65
75
85
Temperature ( C)
O
100
50
0
50
100
DIGITAL SUPPLY CURRENT vs TEMPERATURE
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
40
15
10
35
60
85
Temperature ( C)
C
DVDD = 3V
DVDD = 5V
Low PowerMode
OFFSET DRIFT OVER TIME HISTOGRAM
600
500
400
300
200
100
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Offset Drift (ppm of FSR/minute)
O
Range 5
Repeated measurement
of offset drift over a
one minute interval.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DDC114YH-7 | NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDC1250 | Converter IC |
| DDC4563-24 | SILICON DETECTOR DIODE |
| DDC9 | Converter IC |
| DDCDAC87-CBI-V | 12-Bit Digital-to-Analog Converter |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DDC114TK-7-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:PREBIASED TRANSISTOR SOT-26 R1 ONLY NPN 300MW 10KOHMS ROHS 3 - Tape and Reel |
| DDC114TU | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDC114TU-7 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 200mW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DDC114TU-7-F | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 200mW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DDC114YH | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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